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刘贤哲

发布日期:2023-05-04 11:13 阅读次数:


刘贤哲

 五邑大学讲师

 应用物理与材料学院、柔性传感材料与器件研究开发中心

 

教育经历:

 

2017/09-2021/07   华南理工大学    材料物理与化学     博士学位

2019/10-2020/10   东京工业大学     物质理工学院       博士联培

2014/09-2017/06    华南理工大学   材料物理与化学     硕士学位  

2010/09-2014/06    南昌航空大学    金属材料工程       学士学位    

 

研究方向:

 

1)新型光电材料与器件;(2)喷墨印刷柔性电子器件;(3)柔性传感材料与器件

 

主要研究成果:

 

长期致力于氧化物半导体薄膜晶体管(TFT)以及其在有源矩阵有机发光二极管显示(AMOLED)等应用的相关研究工作,主要包括新型氧化物半导体材料的设计与开发、TFT器件结构设计与制备、柔性和印刷电子器件制备及器件性能优化等。以第一作者或主要作者在Applied Physics Letters、Advanced Materials Interfaces、Journal of Physics D: Applied Physics、Nanomaterials等国内外期刊上已发表文章18余篇,申请发明专利10项,授权专利5项。主持广东省基础与应用基础研究基金省市联合基金1项,参与多项国家重点研发计划、国家自然科学基金、广东省重大科技专项等国家级省部级项目。

 

代表性科研项目:

 

1)“基于超高清显示的抗酸型高性能氧化物薄膜晶体管研究”,广东省基础与应用基础研究基金省市联合基金,10万元,在研,项目负责人。

2)“喷墨印刷高导互联柔性氧化物TFT驱动阵列的研究”,高层次人才科研启动项目,100万元,在研,项目负责人。

 

代表性论著成果:

 

[1] Liu X, et al. Implementing Room-Temperature Fabrication of Flexible Amorphous Sn-Si-O TFTs via Defect Control. Advanced Materials Interfaces, 2021, 8(9): 2002193. (工程技术类二区SCI因子6.147)

[2] Liu X, et al. Origin of bias-stress and illumination instability in low-cost, wide-bandgap amorphous Si-doped tin oxide-based thin-film transistors. Journal of Physics D: Applied Physics, 2020, 53(23): 235102. (物理三区SCI因子3.207)

[3] Liu X, et al. Effect of Source/Drain Electrodes on the Electrical Properties of Silicon–Tin Oxide Thin-Film Transistors. Nanomaterials, 2018, 8(5): 293. (工程技术类二区SCI因子5.076)

[4] Liu X, et al. High-performance back-channel-etched thin-film transistors with amorphous Si-incorporated SnO2 active layer. Applied Physics Letters, 2016, 108(11): 112106. (物理二区SCI因子3.791)

 

Email:

 

1057000149@qq.com

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